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MPCVD設(shè)備應(yīng)用在哪些領(lǐng)域和行業(yè)?
      我們所熟知的金剛石的生長沉積離不開MPCVD設(shè)備，這是因為要想獲得高質(zhì)量金剛石薄膜，就要使用MPCVD設(shè)備。MPCVD設(shè)備的諧振腔內(nèi)沒有內(nèi)部電極，這樣就可以避免電極放電所產(chǎn)生的污染。并且它的運**壓范圍比較寬，所產(chǎn)生等離子體具有密度高、區(qū)域大、穩(wěn)定度高并且不與真空器壁相接觸的優(yōu)點，如此就可以避免器壁對薄膜的污染。在以前的工業(yè)中，人們通常習(xí)慣性的用已知的磁控管功率源來應(yīng)用在MPCVD設(shè)備系統(tǒng)中，當(dāng)然那是在沒有發(fā)現(xiàn)有更好的替換的時候，但是，現(xiàn)在不同往日，隨著技術(shù)的快速發(fā)展，用固態(tài)射頻微波功率源替代磁控管方案在MPCVD設(shè)備系統(tǒng)中的應(yīng)用已經(jīng)成為了一個新趨勢。所以，MPCVD方法以它獨特的優(yōu)勢成為了目前相對有發(fā)展前景的高質(zhì)量金剛石薄膜沉積方法之一。并且它也非常適合光學(xué)、電子以及工具級金剛石膜或者單晶和石墨烯等一些物質(zhì)的沉積，同時在材質(zhì)表面處理和低溫氧化物的生長等方面也有著很大的作用。
      MPCVD設(shè)備也可以直接在目標(biāo)襯底材料上生長石墨烯，如240～700 ℃之間，MPCVD設(shè)備就可以在不同襯底材料上制備高質(zhì)量的石墨烯，從而使得石墨烯在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用范圍得到了進(jìn)一步的擴(kuò)展。